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Material de encapsulamento em pó de sílica cristalina ecológica
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Material de encapsulamento em pó de sílica cristalina ecológica

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O material de encapsulamento em pó de sílica cristalina de sílica cristalina ecológica é um material de encapsulamento não metálico inorgânico de alto desempenho processado por vários processos de proteção ambiental, usando quartzo natural de alta pureza como matéria-prima. Suas vantagens principais estão em alta pureza, baixa expansão, alta condutividade térmica e características de proteção ambiental, e é amplamente aplicada a campos com requisitos extremamente altos para confiabilidade material e proteção ambiental, como semicondutores, circuitos integrados e novos veículos energéticos.
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O material de encapsulamento em pó de sílica cristalina de sílica cristalina ecológica é um material de encapsulamento não metálico inorgânico de alto desempenho processado por vários processos de proteção ambiental, usando quartzo natural de alta pureza como matéria-prima. Suas vantagens principais estão em alta pureza, baixa expansão, alta condutividade térmica e características de proteção ambiental, e é amplamente aplicada a campos com requisitos extremamente altos para confiabilidade material e proteção ambiental, como semicondutores, circuitos integrados e novos veículos energéticos. A seguir, fornece uma descrição detalhada de aspectos como características técnicas, cenários de aplicação, certificações de proteção ambiental, processos de produção e vantagens de mercado:


I. Características técnicas centrais


  1. Alta pureza e tamanho de partícula fina
    usando minério de quartzo natural como matéria-prima, através de processos como moagem sem ferro, lavagem e purificação ácida e classificação precisa, garante que o conteúdo de dióxido de silício (SiO2) seja ≥ 99%e o conteúdo de metais pesados ​​(como Fe2O3 e Al2O3) seja ≤ 0,003. A distribuição do tamanho das partículas pode ser controlada com precisão e a faixa de D50 (tamanho médio de partícula) é de 0,5 a 20μm. A distribuição de vários picos ou a distribuição estreita pode ser personalizada de acordo com as necessidades dos clientes.

  2. Excelente desempenho térmico
    de baixa expansão linear (14 × 10-6/k): corresponde muito ao coeficiente de expansão térmica do substrato de chip (como o silício monocristalino), reduzindo efetivamente o estresse térmico entre o material de encapsulamento e o chip e evitando rachaduras ou delaminação.
    Alta condutividade térmica (12,6 W/(Mk)): Ao otimizar a classificação de partículas e a modificação da superfície, a eficiência da condução de calor é melhorada, garantindo a estabilidade do chip sob operação de alta potência.

  3. Excelente isolamento elétrico
    A constante dielétrica é tão baixa quanto 4,65 (1MHz) e a perda dielétrica é ≤ 0,0018 (1MHz), o que pode reduzir significativamente a perda de transmissão de sinal e atender aos requisitos rigorosos de circuitos de alta frequência e alta velocidade para desempenho dielétrico.

  4. Alta taxa de enchimento e fluidez
    As partículas estão em uma forma cristalina quase esférica ou arredondada, e a taxa de enchimento pode atingir 60%a 90%, mantendo a boa fluidez, adequada para encapsulamento de lacunas estreitas e moldagem de estruturas complexas.


Ii. Características de proteção ambiental e certificações


  1. Proteção ambiental do processo de produção
    Produção limpa: adotando o processo de moagem sem ferro e um sistema de circulação de água fechada para reduzir as emissões de poeira e a poluição das águas residuais. As águas residuais são recicladas após serem tratadas por um tanque de decantação de areia, um tanque de reação de neutralização, etc., percebendo a reciclagem de recursos.
    Tecnologia de economia de energia: o equipamento de produção está equipado com um sistema de combustão de baixo nitrogênio e um dispositivo de recuperação de calor residual para reduzir o consumo de energia.


Iii. Campos de aplicação


  1. O encapsulamento semicondutor e o circuito integrado
    como preenchimento de núcleo do composto de moldagem por epóxi (EMC) (representando 60%a 90%), é usado para o encapsulamento de dispositivos discretos, chips de memória, dispositivos de energia etc., melhorando a resistência ao calor, resistência ao impacto e confiabilidade de longo prazo do material. A micro em pó de sílica esférica é mais adequada para circuitos integrados em larga escala e tecnologias avançadas de encapsulamento (como chips de flip e preenchimento), o que pode reduzir o estresse de encapsulamento e aumentar o rendimento.

  2. Novos veículos de energia e baterias elétricas
    É usado para o encapsulamento de adesivos de envasamento do módulo de bateria e dispositivos eletrônicos de veículo. Com suas características de baixa expansão e alta condutividade térmica, garante a estabilidade da bateria em um ambiente de alta temperatura e atende aos requisitos de segurança leve e alta ao mesmo tempo.

  3. Laminados de alta velocidade e alta velocidade de cobre (CCL),
    quando preenchidos no laminado revestido de cobre, pode reduzir o coeficiente de expansão térmica (CTE) do substrato e melhorar o desempenho dielétrico (DF/DK), que é adequado para a base de alta e alta velocidade.

  4. Outros campos,
    ele também pode ser aplicado a materiais de isolamento elétrico, encapsulamento de LED, cerâmica de precisão, revestimentos de alta temperatura, etc., dando um jogo completo às suas vantagens de alta dureza, resistência ao clima e estabilidade química.


4. Processo de produção e controle de qualidade


  1. Processos do núcleo
    Seleção de matéria -prima: selecione minério de quartzo natural com uma pureza de ≥ 99%e remova as impurezas através da separação e flutuação magnética.
    Rotagem Ultra-Fine: Adote o processo de moinho de jato de ar ou moinho de bolas úmido, combinado com a tecnologia de classificação de vários estágios, para obter controle preciso do tamanho das partículas.
    Modificação da superfície: Através de agentes de acoplamento de silano ou modificação de revestimento, a compatibilidade entre o pó e a resina orgânica é aprimorada e a dispersibilidade e o desempenho do preenchimento são aprimorados.

  2. Detecção de impureza do controle de qualidade
    : use instrumentos como ICP-MS e XRF para controlar estritamente metais pesados ​​e elementos radioativos (como o teor de urânio <0,5ppb).
    Análise do tamanho das partículas: use um analisador de tamanho de partícula a laser para monitorar parâmetros como D50 e D90 em tempo real para garantir a estabilidade do lote.


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Parâmetros básicos

Item Unidade Valores típicos
Exterior / pó branco
Densidade kg/m³ 2,65 × 103
A dureza de Moh / 7
Coeficiente de expansão linear 1/k 14 × 10-6
Pirocondutividade com km 12.6
Coeficiente de refração / 1.54



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