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Alta pureza e tamanho de partícula fina
usando minério de quartzo natural como matéria-prima, através de processos como moagem sem ferro, lavagem e purificação ácida e classificação precisa, garante que o conteúdo de dióxido de silício (SiO2) seja ≥ 99%e o conteúdo de metais pesados (como Fe2O3 e Al2O3) seja ≤ 0,003. A distribuição do tamanho das partículas pode ser controlada com precisão e a faixa de D50 (tamanho médio de partícula) é de 0,5 a 20μm. A distribuição de vários picos ou a distribuição estreita pode ser personalizada de acordo com as necessidades dos clientes.
Excelente desempenho térmico
de baixa expansão linear (14 × 10-6/k): corresponde muito ao coeficiente de expansão térmica do substrato de chip (como o silício monocristalino), reduzindo efetivamente o estresse térmico entre o material de encapsulamento e o chip e evitando rachaduras ou delaminação.
Alta condutividade térmica (12,6 W/(Mk)): Ao otimizar a classificação de partículas e a modificação da superfície, a eficiência da condução de calor é melhorada, garantindo a estabilidade do chip sob operação de alta potência.
Excelente isolamento elétrico
A constante dielétrica é tão baixa quanto 4,65 (1MHz) e a perda dielétrica é ≤ 0,0018 (1MHz), o que pode reduzir significativamente a perda de transmissão de sinal e atender aos requisitos rigorosos de circuitos de alta frequência e alta velocidade para desempenho dielétrico.
Alta taxa de enchimento e fluidez
As partículas estão em uma forma cristalina quase esférica ou arredondada, e a taxa de enchimento pode atingir 60%a 90%, mantendo a boa fluidez, adequada para encapsulamento de lacunas estreitas e moldagem de estruturas complexas.
Proteção ambiental do processo de produção
Produção limpa: adotando o processo de moagem sem ferro e um sistema de circulação de água fechada para reduzir as emissões de poeira e a poluição das águas residuais. As águas residuais são recicladas após serem tratadas por um tanque de decantação de areia, um tanque de reação de neutralização, etc., percebendo a reciclagem de recursos.
Tecnologia de economia de energia: o equipamento de produção está equipado com um sistema de combustão de baixo nitrogênio e um dispositivo de recuperação de calor residual para reduzir o consumo de energia.
O encapsulamento semicondutor e o circuito integrado
como preenchimento de núcleo do composto de moldagem por epóxi (EMC) (representando 60%a 90%), é usado para o encapsulamento de dispositivos discretos, chips de memória, dispositivos de energia etc., melhorando a resistência ao calor, resistência ao impacto e confiabilidade de longo prazo do material. A micro em pó de sílica esférica é mais adequada para circuitos integrados em larga escala e tecnologias avançadas de encapsulamento (como chips de flip e preenchimento), o que pode reduzir o estresse de encapsulamento e aumentar o rendimento.
Novos veículos de energia e baterias elétricas
É usado para o encapsulamento de adesivos de envasamento do módulo de bateria e dispositivos eletrônicos de veículo. Com suas características de baixa expansão e alta condutividade térmica, garante a estabilidade da bateria em um ambiente de alta temperatura e atende aos requisitos de segurança leve e alta ao mesmo tempo.
Laminados de alta velocidade e alta velocidade de cobre (CCL),
quando preenchidos no laminado revestido de cobre, pode reduzir o coeficiente de expansão térmica (CTE) do substrato e melhorar o desempenho dielétrico (DF/DK), que é adequado para a base de alta e alta velocidade.
Outros campos,
ele também pode ser aplicado a materiais de isolamento elétrico, encapsulamento de LED, cerâmica de precisão, revestimentos de alta temperatura, etc., dando um jogo completo às suas vantagens de alta dureza, resistência ao clima e estabilidade química.
Processos do núcleo
Seleção de matéria -prima: selecione minério de quartzo natural com uma pureza de ≥ 99%e remova as impurezas através da separação e flutuação magnética.
Rotagem Ultra-Fine: Adote o processo de moinho de jato de ar ou moinho de bolas úmido, combinado com a tecnologia de classificação de vários estágios, para obter controle preciso do tamanho das partículas.
Modificação da superfície: Através de agentes de acoplamento de silano ou modificação de revestimento, a compatibilidade entre o pó e a resina orgânica é aprimorada e a dispersibilidade e o desempenho do preenchimento são aprimorados.
Detecção de impureza do controle de qualidade
: use instrumentos como ICP-MS e XRF para controlar estritamente metais pesados e elementos radioativos (como o teor de urânio <0,5ppb).
Análise do tamanho das partículas: use um analisador de tamanho de partícula a laser para monitorar parâmetros como D50 e D90 em tempo real para garantir a estabilidade do lote.
Amostras grátis e personalização em massa disponível - entre em contato conosco hoje!
Parâmetros básicos
Item | Unidade | Valores típicos |
Exterior | / | pó branco |
Densidade | kg/m³ | 2,65 × 103 |
A dureza de Moh | / | 7 |
Coeficiente de expansão linear | 1/k | 14 × 10-6 |
Pirocondutividade | com km | 12.6 |
Coeficiente de refração | / | 1.54 |
Alta pureza e tamanho de partícula fina
usando minério de quartzo natural como matéria-prima, através de processos como moagem sem ferro, lavagem e purificação ácida e classificação precisa, garante que o conteúdo de dióxido de silício (SiO2) seja ≥ 99%e o conteúdo de metais pesados (como Fe2O3 e Al2O3) seja ≤ 0,003. A distribuição do tamanho das partículas pode ser controlada com precisão e a faixa de D50 (tamanho médio de partícula) é de 0,5 a 20μm. A distribuição de vários picos ou a distribuição estreita pode ser personalizada de acordo com as necessidades dos clientes.
Excelente desempenho térmico
de baixa expansão linear (14 × 10-6/k): corresponde muito ao coeficiente de expansão térmica do substrato de chip (como o silício monocristalino), reduzindo efetivamente o estresse térmico entre o material de encapsulamento e o chip e evitando rachaduras ou delaminação.
Alta condutividade térmica (12,6 W/(Mk)): Ao otimizar a classificação de partículas e a modificação da superfície, a eficiência da condução de calor é melhorada, garantindo a estabilidade do chip sob operação de alta potência.
Excelente isolamento elétrico
A constante dielétrica é tão baixa quanto 4,65 (1MHz) e a perda dielétrica é ≤ 0,0018 (1MHz), o que pode reduzir significativamente a perda de transmissão de sinal e atender aos requisitos rigorosos de circuitos de alta frequência e alta velocidade para desempenho dielétrico.
Alta taxa de enchimento e fluidez
As partículas estão em uma forma cristalina quase esférica ou arredondada, e a taxa de enchimento pode atingir 60%a 90%, mantendo a boa fluidez, adequada para encapsulamento de lacunas estreitas e moldagem de estruturas complexas.
Proteção ambiental do processo de produção
Produção limpa: adotando o processo de moagem sem ferro e um sistema de circulação de água fechada para reduzir as emissões de poeira e a poluição das águas residuais. As águas residuais são recicladas após serem tratadas por um tanque de decantação de areia, um tanque de reação de neutralização, etc., percebendo a reciclagem de recursos.
Tecnologia de economia de energia: o equipamento de produção está equipado com um sistema de combustão de baixo nitrogênio e um dispositivo de recuperação de calor residual para reduzir o consumo de energia.
O encapsulamento semicondutor e o circuito integrado
como preenchimento de núcleo do composto de moldagem por epóxi (EMC) (representando 60%a 90%), é usado para o encapsulamento de dispositivos discretos, chips de memória, dispositivos de energia etc., melhorando a resistência ao calor, resistência ao impacto e confiabilidade de longo prazo do material. A micro em pó de sílica esférica é mais adequada para circuitos integrados em larga escala e tecnologias avançadas de encapsulamento (como chips de flip e preenchimento), o que pode reduzir o estresse de encapsulamento e aumentar o rendimento.
Novos veículos de energia e baterias elétricas
É usado para o encapsulamento de adesivos de envasamento do módulo de bateria e dispositivos eletrônicos de veículo. Com suas características de baixa expansão e alta condutividade térmica, garante a estabilidade da bateria em um ambiente de alta temperatura e atende aos requisitos de segurança leve e alta ao mesmo tempo.
Laminados de alta velocidade e alta velocidade de cobre (CCL),
quando preenchidos no laminado revestido de cobre, pode reduzir o coeficiente de expansão térmica (CTE) do substrato e melhorar o desempenho dielétrico (DF/DK), que é adequado para a base de alta e alta velocidade.
Outros campos,
ele também pode ser aplicado a materiais de isolamento elétrico, encapsulamento de LED, cerâmica de precisão, revestimentos de alta temperatura, etc., dando um jogo completo às suas vantagens de alta dureza, resistência ao clima e estabilidade química.
Processos do núcleo
Seleção de matéria -prima: selecione minério de quartzo natural com uma pureza de ≥ 99%e remova as impurezas através da separação e flutuação magnética.
Rotagem Ultra-Fine: Adote o processo de moinho de jato de ar ou moinho de bolas úmido, combinado com a tecnologia de classificação de vários estágios, para obter controle preciso do tamanho das partículas.
Modificação da superfície: Através de agentes de acoplamento de silano ou modificação de revestimento, a compatibilidade entre o pó e a resina orgânica é aprimorada e a dispersibilidade e o desempenho do preenchimento são aprimorados.
Detecção de impureza do controle de qualidade
: use instrumentos como ICP-MS e XRF para controlar estritamente metais pesados e elementos radioativos (como o teor de urânio <0,5ppb).
Análise do tamanho das partículas: use um analisador de tamanho de partícula a laser para monitorar parâmetros como D50 e D90 em tempo real para garantir a estabilidade do lote.
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Parâmetros básicos
Item | Unidade | Valores típicos |
Exterior | / | pó branco |
Densidade | kg/m³ | 2,65 × 103 |
A dureza de Moh | / | 7 |
Coeficiente de expansão linear | 1/k | 14 × 10-6 |
Pirocondutividade | com km | 12.6 |
Coeficiente de refração | / | 1.54 |