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Relleno de alúmina esférica para embalaje avanzado
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Relleno de alúmina esférica para embalaje avanzado

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Este relleno de alúmina esférica de grado electrónico de alta pureza está diseñado específicamente para aplicaciones avanzadas de embalaje de semiconductores (p. ej., FC-BGA, chiplet, 3D IC). Fabricado con tecnología de esferoidización de precisión, presenta:

Alta pureza (≥99,5%)

Baja emisión de rayos alfa

Excelente conductividad térmica (≥30 W/m·K)

Mejora significativamente el rendimiento de la gestión térmica y la resistencia mecánica de los materiales de embalaje, lo que lo hace ideal para embalajes electrónicos de alta densidad y alta confiabilidad.
 
Disponibilidad:
Cantidad:

Descripción del Producto :

Este relleno de alúmina esférica de grado electrónico de alta pureza está diseñado específicamente para aplicaciones avanzadas de embalaje de semiconductores (p. ej., FC-BGA, chiplet, 3D IC). Fabricado con tecnología de esferoidización de precisión, presenta:

  • Alta pureza (≥99,5%)

  • Baja emisión de rayos alfa

  • Excelente conductividad térmica (≥30 W/m·K)

Mejora significativamente el rendimiento de la gestión térmica y la resistencia mecánica de los materiales de embalaje, lo que lo hace ideal para de alta densidad y confiabilidad . embalajes electrónicos


Aplicaciones

Embalaje de semiconductores avanzado :

  • FC-BGA (matriz de rejilla de bolas Flip-Chip)

  • 2.5D/3D IC (intercalador de silicio, relleno TSV)

  • Integración de chips

Materiales de embalaje de alta conductividad térmica :

  • Relleno de compuesto de moldeo epoxi (EMC)

  • Gel Térmico/Refuerzo Adhesivo

5G/Electrónica de alta frecuencia :

  • Embalaje de dispositivos de RF de ondas milimétricas

  • Disipación de calor del módulo de potencia (IGBT/SiC)


Ventajas clave


Alta pureza : 99,5 % de pureza minimiza la contaminación iónica, lo que garantiza la confiabilidad del chip
Rayos alfa bajos : cumple con los requisitos de baja radiación para chips de memoria avanzados (DRAM/NAND)
Gestión térmica optimizada : la alta conductividad térmica (≥30 W/m·K) reduce la resistencia térmica
Control preciso del tamaño de las partículas : ajustable de 0,5 a 20 μm para diversos procesos de envasado
Alta esfericidad : reduce la concentración de tensión y mejora la fluidez/tasa de llenado


¿Por qué elegirnos?


Especialización en materiales de grado electrónico : Cumple con estándares internacionales
Servicios de personalización : Tamaño de partícula personalizado y modificación de superficie (p. ej., acoplamiento de silano)
Suministro estable : Capacidad de 200 toneladas mensuales con alta consistencia de lotes
Soporte técnico : Simulación térmica y optimización de formulación disponibles


Embalaje y envío


  • Embalaje : 25 kg/bolsa (personalizable)

  • Envío : Resistente a la humedad y a los golpes, compatible con logística global


Ideal para : fabricantes de materiales de embalaje semiconductores, proveedores de EMC, fabricantes de dispositivos 5G
Nota sobre solicitudes de presupuesto : especifique el tamaño de partícula, la pureza y el tratamiento de superficie requeridos



Proyecto

Indicadores relacionados

Explicar

Pureza

A1.03

Más del 99%

Impurezas

Na,0

Puede ser tan bajo como por debajo de 300 ppm

Apariencia

Contenido 0-A1z03

Hasta 90% o más
Distribución del tamaño de partículas D50 Opcional dentro de 2um-50um

Di₀0

Puede ser tan bajo como 10um o menos

Distribución del tamaño de partículas Se pueden realizar ajustes en función de la distribución típica de acuerdo con los requisitos de la casa del palacio, incluida la distribución multimodal y la distribución estrecha.



Proyecto

Unidad

Valores típicos

Apariencia

/

Madera rosa blanca

Ni en forma de partículas

/ Esférico

Densidad

kg/m³ 3,7×103

Dureza de Mohs

/ 6-9

Constante dieléctrica

Eh 9

Pérdida dieléctrica

lgδ 0.0003
Coeficiente de expansión lineal 1/k 0,7x10-6
Conductividad térmica Con/Kam 30


+86 18936720888
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