Продукты

Вы здесь: Дом » Продукты » Сферический порошок глинозема » Сферический наполнитель из оксида алюминия для современной упаковки
Сферический наполнитель из оксида алюминия для современной упаковки
Сферический наполнитель из оксида алюминия для современной упаковки Сферический наполнитель из оксида алюминия для современной упаковки

загрузка

Сферический наполнитель из оксида алюминия для современной упаковки

Поделиться:
кнопка поделиться Facebook
кнопка поделиться в твиттере
кнопка совместного использования линии
кнопка поделиться в чате
кнопка поделиться в linkedin
кнопка «Поделиться» в Pinterest
кнопка поделиться WhatsApp
поделиться этой кнопкой обмена
Этот сферический наполнитель из оксида алюминия высокой чистоты электронного класса специально разработан для современных полупроводниковых корпусов (например, FC-BGA, Chiplet, 3D IC). Изготовленный с использованием технологии прецизионной сфероидизации, он обладает следующими характеристиками:

Высокая чистота (≥99,5%)

Низкое излучение альфа-излучения

Отличная теплопроводность (≥30 Вт/м·К)

Он значительно улучшает характеристики терморегулирования и механическую прочность упаковочных материалов, что делает его идеальным для создания высокоплотной и надежной электронной упаковки.
 
Доступность:
Количество:

Описание продукта :

Этот сферический наполнитель из оксида алюминия высокой чистоты электронного класса специально разработан для современных полупроводниковых корпусов (например, FC-BGA, Chiplet, 3D IC). Изготовленный с использованием технологии прецизионной сфероидизации, он имеет:

  • Высокая чистота (≥99,5%)

  • Низкое альфа-излучение

  • Отличная теплопроводность (≥30 Вт/м·К)

Он значительно улучшает характеристики терморегулирования и механическую прочность упаковочных материалов, что делает его идеальным для создания высокоплотной и надежной электронной упаковки.


Приложения

Усовершенствованная полупроводниковая упаковка :

  • FC-BGA (решетка шариковых перевернутых чипов)

  • 2.5D/3D IC (кремниевый переходник, наполнитель TSV)

  • Интеграция чиплетов

Упаковочные материалы с высокой теплопроводностью :

  • Наполнитель из эпоксидного формовочного компаунда (ЭМС)

  • Термальный гель/клейкое усиление

5G/высокочастотная электроника :

  • Корпус радиочастотного устройства миллиметрового диапазона волн

  • Тепловыделение силового модуля (IGBT/SiC)


Ключевые преимущества


Высокая чистота : чистота 99,5 % минимизирует ионное загрязнение, обеспечивая надежность чипа.
Низкое альфа-излучение : соответствует требованиям к низкому излучению для усовершенствованных микросхем памяти (DRAM/NAND).
Оптимизированное управление температурным режимом : высокая теплопроводность (≥30 Вт/м·К) снижает термическое сопротивление.
Точный контроль размера частиц : регулируемый размер частиц 0,5–20 мкм для различных процессов упаковки.
Высокая сферичность : снижает концентрацию напряжений и улучшает сыпучесть/скорость наполнения.


Почему выбирают нас?


Специализация на материалах электронного класса : Соответствует международным стандартам.
Услуги по индивидуальному заказу : Индивидуальный размер частиц и модификация поверхности (например, силановая связь).
Стабильные поставки : Ежемесячная производительность 200 тонн с высокой стабильностью партий.
Техническая поддержка : Доступно термическое моделирование и оптимизация рецептуры.


Упаковка и доставка


  • Упаковка : 25 кг/мешок (по индивидуальному заказу).

  • Доставка : Влагостойкий и ударопрочный, поддерживается глобальная логистика.


Идеально подходит для : производителей упаковочных материалов для полупроводников, поставщиков ЭМС, производителей устройств 5G.
Запрос предложений. Примечание . Укажите требуемый размер частиц, чистоту и обработку поверхности.



Проект

Сопутствующие индикаторы

Объяснять

Чистота

А1.03

Более 99%

Примеси

На,0

Может быть ниже 300 ppm.

Появление

Содержание 0-A1z03

До 90% и более
Распределение частиц по размерам Д50 Опционально в пределах 2-50 мкм

Ди₀0

Может быть всего 10 мкм или меньше

Распределение частиц по размерам Корректировки могут быть сделаны на основе типичного распределения в соответствии с требованиями дворцового хозяйства, включая мультимодальное распределение и узкое распределение.



Проект

Единица

Типичные значения

Появление

/

Бело-розовое дерево

Ni в форме частиц

/ сферический

Плотность

кг/м³ 3,7×103

Твердость по Моосу

/ 6-9

Диэлектрическая проницаемость

Эр 9

Диэлектрические потери

lgδ 0.0003
Коэффициент линейного расширения 1/К 0,7х10-6
Теплопроводность Ж/Кам 30


СОПУТСТВУЮЩИЕ ПРОДУКТЫ

+86 18936720888
+86-189-3672-0888

СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ

Тел: +86-189-3672-0888
Электронная почта: sales@silic-st.com
WhatsApp: +86 18936720888
Добавить: № 8-2, Zhenxing South Road, зона развития высоких технологий, уезд Дунхай, провинция Цзянсу

БЫСТРЫЕ ССЫЛКИ

СВЯЗАТЬСЯ
Авторское право © 2024 Jiangsu Shengtian New Materials Co., Ltd. Все права защищены.| Карта сайта политика конфиденциальности