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Poudre de silice fusionnée de haute pureté pour les semi-conducteurs
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Poudre de silice fusionnée de haute pureté pour les semi-conducteurs

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Ce produit est une poudre de silice fusionnée de haute pureté spécialement conçue pour les industries électroniques avancées telles que les semi-conducteurs et les circuits intégrés. Fabriqué à partir de matières premières de quartz à haute pureté grâce à des processus de fusion à haute température, de broyage ultra-fin et de classification de précision, il présente une pureté ≥99%, une distribution de taille de particules contrôlable (D50 0,5 μm-50 μm, personnalisable), un coefficient de dilatation thermique faible, d'excellentes propriétés d'isolation et une stabilité chimique supérieure. Il est largement utilisé dans des applications critiques telles que l'emballage de semi-conducteurs, les substrats en céramique et les adhésifs électroniques.
Disponibilité:
quantité:

Présentation du produit
041004Ce produit est une poudre de silice fusionnée de haute pureté spécialement conçue pour les industries électroniques avancées telles que les semi-conducteurs et les circuits intégrés. Fabriqué à partir de matières premières de quartz à haute pureté grâce à des processus de fusion à haute température, de broyage ultra-fin et de classification de précision, il présente une pureté ≥99%, une distribution de taille de particules contrôlable (D50 0,5 μm-50 μm, personnalisable), un coefficient de dilatation thermique faible, d'excellentes propriétés d'isolation et une stabilité chimique supérieure. Il est largement utilisé dans des applications critiques telles que l'emballage de semi-conducteurs, les substrats en céramique et les adhésifs électroniques.


Paramètres du produit

de l'article Spécification
Pureté ≥99%
Taille des particules (D50) 0,5 μm-50 μm (personnalisable)
Densité 2,2 g / cm³
Point de fusion ≈1700ºC
Coefficient de dilatation thermique 0,5 × 10 -6/ ºC (20-300ºC)
Constante diélectrique 3.8-4.2 (1MHz)
Teneur en humidité ≤0,1%


Caractéristiques du produit


  • Pureté ultra-élevée : niveaux d'impuretés extrêmement faibles (Na, K, Fe et autres ions métalliques ≤50 ppm), répondant aux exigences de processus semi-conductrices rigoureuses.

  • Contrôle précis de la taille des particules : plage D50 personnalisable de 0,5 μm-50 μm grâce à une technologie de classification avancée pour s'adapter à diverses applications.

  • Performances stables : une forte expansion thermique et une isolation élevée assurent la fiabilité dans les environnements à haute température et à haute fréquence.

  • Excellente dispersion : traitée en surface pour une compatibilité supérieure avec les résines époxy, le silicone et d'autres substrats, empêchant l'agglomération.


Applications


  • Emballage semi-conducteur : utilisé comme remplissage dans les composés de moulage époxy (EMC) pour améliorer la conductivité thermique et la résistance mécanique.

  • Substrats électroniques : agit comme une phase de renforcement dans les substrats en céramique (par exemple, Aln, Al 2O 3), réduisant les températures de frittage.

  • Adhésifs / revêtements : remplissage fonctionnel dans les adhésifs isolants à haute teneur en inductivité et les revêtements anti-statiques.

  • Céramique de précision : additif pour les appareils à haute fréquence et le verre optique.


Emballage et stockage


  • Emballage : 25 kg / sac, ou personnalisé par exigences du client.

  • Stockage : Conserver dans un endroit frais et sec pour éviter l'absorption d'humidité. Durée de conservation recommandée: 12 mois.


Assurance qualité


  • Se conforme aux normes Semi et ROHS, avec des rapports de test fournis.

  • Prend en charge des tests d'échantillons et des solutions techniques personnalisées pour assurer une intégration transparente avec vos processus.

Contactez-nous pour des échantillons ou une consultation technique!

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