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Polvere di silice fusa di elevata purezza per semiconduttori
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Polvere di silice fusa di elevata purezza per semiconduttori

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Questo prodotto è una polvere di silice fusa di elevata purezza appositamente progettata per le industrie elettroniche avanzate come quella dei semiconduttori e dei circuiti integrati. Prodotto con materie prime di quarzo di elevata purezza attraverso fusione ad alta temperatura, macinazione ultrafine e processi di classificazione di precisione, presenta una purezza ≥99%, distribuzione granulometrica controllabile (D50 0,5μm-50μm, personalizzabile), basso coefficiente di espansione termica, eccellenti proprietà di isolamento e stabilità chimica superiore. È ampiamente utilizzato in applicazioni critiche come imballaggi di semiconduttori, substrati ceramici e adesivi elettronici.
Disponibilità:
Quantità:

Panoramica del prodotto
041004Questo prodotto è una polvere di silice fusa di elevata purezza progettata specificamente per le industrie elettroniche avanzate come quella dei semiconduttori e dei circuiti integrati. Prodotto con materie prime di quarzo di elevata purezza attraverso fusione ad alta temperatura, macinazione ultrafine e processi di classificazione di precisione, presenta una purezza ≥99%, distribuzione granulometrica controllabile (D50 0,5μm-50μm, personalizzabile), basso coefficiente di espansione termica, eccellenti proprietà di isolamento e stabilità chimica superiore. È ampiamente utilizzato in applicazioni critiche come imballaggi di semiconduttori, substrati ceramici e adesivi elettronici.


Parametri del prodotto

dell'articolo Specifica
Purezza ≥99%
Dimensione delle particelle (D50) 0,5μm-50μm (personalizzabile)
Densità 2,2 g/cm³
Punto di fusione ≈1700ºC
Coefficiente di dilatazione termica 0,5×10 -6/ºC (20-300ºC)
Costante dielettrica 3,8-4,2 (1 MHz)
Contenuto di umidità ≤0,1%


Caratteristiche del prodotto


  • Purezza ultraelevata : livelli di impurità estremamente bassi (Na, K, Fe e altri ioni metallici ≤50 ppm), che soddisfano i rigorosi requisiti del processo dei semiconduttori.

  • Controllo preciso della dimensione delle particelle : gamma D50 personalizzabile da 0,5μm a 50μm attraverso una tecnologia di classificazione avanzata per adattarsi a varie applicazioni.

  • Prestazioni stabili : la bassa dilatazione termica e l'elevato isolamento garantiscono affidabilità in ambienti ad alta temperatura e alta frequenza.

  • Eccellente dispersione : superficie trattata per una compatibilità superiore con resine epossidiche, silicone e altri substrati, prevenendo l'agglomerazione.


Applicazioni


  • Imballaggio per semiconduttori : utilizzato come riempitivo nei composti epossidici per stampaggio (EMC) per migliorare la conduttività termica e la resistenza meccanica.

  • Substrati elettronici : Agisce come fase rinforzante nei substrati ceramici (ad esempio AlN, AlO 2) 3, riducendo le temperature di sinterizzazione.

  • Adesivi/rivestimenti : riempitivo funzionale in adesivi isolanti ad alta conduttività termica e rivestimenti antistatici.

  • Ceramica di precisione : additivo per dispositivi ad alta frequenza e vetro ottico.


Imballaggio e stoccaggio


  • Imballaggio : 25 kg/sacco o personalizzato in base alle esigenze del cliente.

  • Conservazione : conservare in un luogo fresco e asciutto per evitare l'assorbimento di umidità. Durata di conservazione consigliata: 12 mesi.


Garanzia di qualità


  • Conforme agli standard SEMI e RoHS, con rapporti di prova forniti.

  • Supporta test su campioni e soluzioni tecniche personalizzate per garantire una perfetta integrazione con i tuoi processi.

Contattaci per campioni o consulenza tecnica!

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