Produse

Sunteți aici: Acasă » Produse » Pulbere de silice topită » Pulbere de silice topită de înaltă puritate pentru semiconductori

Pulbere de silice topită de înaltă puritate pentru semiconductori

Acest produs este o pulbere de silice topită de înaltă puritate, concepută special pentru industriile electronice avansate, cum ar fi semiconductorii și circuitele integrate. Fabricat din materii prime de cuarț de înaltă puritate prin fuziune la temperatură înaltă, măcinare ultrafină și procese de clasificare de precizie, are o puritate de ≥99%, distribuție controlabilă a dimensiunii particulelor (D50 0,5μm-50μm, personalizabil), coeficient de dilatare termică scăzut, proprietăți excelente de izolare și stabilitate chimică superioară. Este utilizat pe scară largă în aplicații critice, cum ar fi ambalarea semiconductoarelor, substraturile ceramice și adezivii electronici.

Disponibilitate:

Cantitate:



Întreba Adăugați în coș

Descriere produs

Prezentare generală a produsului
041004 Acest produs este o pulbere de silice topită de înaltă puritate, concepută special pentru industriile electronice avansate, cum ar fi semiconductorii și circuitele integrate. Fabricat din materii prime de cuarț de înaltă puritate prin fuziune la temperatură înaltă, măcinare ultrafină și procese de clasificare de precizie, are o puritate de ≥99%, distribuție controlabilă a dimensiunii particulelor (D50 0,5μm-50μm, personalizabil), coeficient de dilatare termică scăzut, proprietăți excelente de izolare și stabilitate chimică superioară. Este utilizat pe scară largă în aplicații critice, cum ar fi ambalarea semiconductoarelor, substraturile ceramice și adezivii electronici.

Parametrii produsului

articolului	Specificația
Puritate	≥99%
Dimensiunea particulelor (D50)	0,5μm-50μm (personalizat)
Densitate	2,2 g/cm³
Punct de topire	≈1700ºC
Coeficientul de dilatare termică	0,5×10 ^-6/ºC (20-300ºC)
Constanta dielectrica	3,8-4,2 (1MHz)
Conținutul de umiditate	≤0,1%

Caracteristicile produsului

Puritate ultra-înaltă : niveluri de impurități extrem de scăzute (Na, K, Fe și alți ioni metalici ≤50 ppm), îndeplinesc cerințele stricte ale procesului de semiconductor.
Control precis al dimensiunii particulelor : Gama D50 personalizabilă de 0,5 μm-50 μm prin tehnologie avansată de clasificare pentru a se potrivi cu diverse aplicații.
Performanță stabilă : expansiune termică scăzută și izolație ridicată asigură fiabilitatea în medii cu temperatură ridicată și frecvență înaltă.
Dispersie excelentă : tratat la suprafață pentru o compatibilitate superioară cu rășini epoxidice, silicon și alte substraturi, prevenind aglomerarea.

Aplicații

Ambalaj semiconductor : Folosit ca umplutură în compușii de turnare epoxidici (EMC) pentru a îmbunătăți conductibilitatea termică și rezistența mecanică.
Substraturi electronice : Acționează ca o fază de armare în substraturile ceramice (de exemplu, AlN, Al ₂O ₃), reducând temperaturile de sinterizare.
Adezivi/Acoperiri : Umplutură funcțională din adezivi izolatori cu conductivitate termică ridicată și acoperiri antistatice.
Ceramica de precizie : aditiv pentru dispozitive de înaltă frecvență și sticlă optică.

Ambalare și depozitare

Ambalare : 25 kg/sac, sau personalizat conform cerințelor clientului.
Depozitare : A se păstra într-un loc răcoros și uscat pentru a evita absorbția umidității. Perioada de valabilitate recomandată: 12 luni.

Asigurarea calității

Respectă standardele SEMI și RoHS, cu rapoarte de testare furnizate.
Acceptă testarea probelor și soluțiile tehnice personalizate pentru a asigura o integrare perfectă cu procesele dumneavoastră.

Contactați-ne pentru mostre sau consultanță tehnică!