Produkty

Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Proszek topionej krzemionki » Proszek topionej krzemionki wysokiej czystości do półprzewodników

Proszek topionej krzemionki o wysokiej czystości do półprzewodników

Proszek topionej krzemionki o wysokiej czystości do półprzewodników

Ten produkt to proszek topionej krzemionki o wysokiej czystości, zaprojektowany specjalnie dla zaawansowanych gałęzi przemysłu elektronicznego, takich jak półprzewodniki i obwody scalone. Wyprodukowany z surowców kwarcowych o wysokiej czystości poprzez stapianie w wysokiej temperaturze, ultradrobne mielenie i precyzyjne procesy klasyfikacji, charakteryzuje się czystością ≥99%, kontrolowanym rozkładem wielkości cząstek (D50 0,5 μm-50 μm, konfigurowalny), niskim współczynnikiem rozszerzalności cieplnej, doskonałymi właściwościami izolacyjnymi i doskonałą stabilnością chemiczną. Jest szeroko stosowany w krytycznych zastosowaniach, takich jak opakowania półprzewodników, podłoża ceramiczne i kleje elektroniczne.

Dostępność:

Ilość:



Pytać się Dodaj do koszyka

Opis produktu

Przegląd produktu
041004 Ten produkt to proszek topionej krzemionki o wysokiej czystości, zaprojektowany specjalnie dla zaawansowanych gałęzi przemysłu elektronicznego, takich jak półprzewodniki i obwody scalone. Wyprodukowany z surowców kwarcowych o wysokiej czystości poprzez stapianie w wysokiej temperaturze, ultradrobne mielenie i precyzyjne procesy klasyfikacji, charakteryzuje się czystością ≥99%, kontrolowanym rozkładem wielkości cząstek (D50 0,5 μm-50 μm, konfigurowalny), niskim współczynnikiem rozszerzalności cieplnej, doskonałymi właściwościami izolacyjnymi i doskonałą stabilnością chemiczną. Jest szeroko stosowany w krytycznych zastosowaniach, takich jak opakowania półprzewodników, podłoża ceramiczne i kleje elektroniczne.

Parametry produktu

przedmiotu	Specyfikacja
Czystość	≥99%
Rozmiar cząstek (D50)	0,5 μm-50 μm (konfigurowalny)
Gęstość	2,2 g/cm³
Temperatura topnienia	≈1700°C
Współczynnik rozszerzalności cieplnej	0,5×10 ^-6/°C (20-300°C)
Stała dielektryczna	3,8–4,2 (1 MHz)
Zawartość wilgoci	≤0,1%

Cechy produktu

Ultrawysoka czystość : wyjątkowo niski poziom zanieczyszczeń (Na, K, Fe i inne jony metali ≤50 ppm), spełniający rygorystyczne wymagania procesu półprzewodnikowego.
Precyzyjna kontrola wielkości cząstek : Konfigurowalny zakres D50 od 0,5 μm do 50 μm dzięki zaawansowanej technologii klasyfikacji w celu dopasowania do różnych zastosowań.
Stabilna wydajność : Niska rozszerzalność cieplna i wysoka izolacja zapewniają niezawodność w środowiskach o wysokiej temperaturze i wysokiej częstotliwości.
Doskonała dyspersja : Obróbka powierzchniowa zapewniająca doskonałą kompatybilność z żywicami epoksydowymi, silikonem i innymi podłożami, zapobiegająca aglomeracji.

Aplikacje

Opakowania półprzewodnikowe : stosowane jako wypełniacz w masach do formowania epoksydowego (EMC) w celu zwiększenia przewodności cieplnej i wytrzymałości mechanicznej.
Podłoża elektroniczne : Działa jako faza wzmacniająca w podłożach ceramicznych (np. AlN, Al ₂O ₃), obniżając temperaturę spiekania.
Kleje/powłoki : Funkcjonalny wypełniacz w klejach izolacyjnych o wysokiej przewodności cieplnej i powłokach antystatycznych.
Precision Ceramics : dodatek do urządzeń wysokiej częstotliwości i szkła optycznego.

Pakowanie i przechowywanie

Opakowanie : 25 kg/worek lub dostosowane do wymagań klienta.
Przechowywanie : Przechowywać w chłodnym i suchym miejscu, aby uniknąć wchłaniania wilgoci. Zalecany okres przydatności do spożycia: 12 miesięcy.

Zapewnienie jakości

Zgodny ze standardami SEMI i RoHS, z dołączonymi raportami z testów.
Obsługuje przykładowe testy i niestandardowe rozwiązania techniczne, aby zapewnić bezproblemową integrację z procesami.

Skontaktuj się z nami, aby uzyskać próbki lub konsultację techniczną!