半導体パッケージング: BGA、CSP、フリップチップなどの高度なパッケージングプロセス
パワーエレクトロニクス: IGBT および MOSFET モジュール用の放熱フィラー
LED パッケージング: LED デバイスの放熱と光効率を向上させる
5G 通信: 高周波基板および高出力 RF コンポーネントのパッケージング
電子セラミックス: HTCC/LTCC 基板および絶縁層
高純度: 超低金属不純物を含む純度 99.5% で、半導体グレードの要件を満たしています
完全真球度: 充填密度と流動性を向上させる真球度 95% 以上
優れた熱伝導率: チップ接合温度を効果的に低下させるための熱伝導率 30 W/m・K 以上
低アルファ線: ソフト エラーを防止し、デバイスの信頼性を向上させる 0.01 cph/cm2以下
調整可能な粒子サイズ:さまざまな包装プロセスに合わせて2~50μmのオプションを利用可能
包装: 25kg/袋 (カスタマイズ可能)
保管: 湿気や汚染物質を避け、涼しく乾燥した状態で保管してください。
電子グレードの専門分野: 高純度電子材料における 15 年の専門知識
厳格な品質管理: ISO 9001/IATF 16949 認定
カスタマイズサービス: カスタマイズされた粒子サイズと表面改質オプション
グローバル供給: 100 社を超える半導体業界の顧客にサービスを提供
プロジェクト |
関連指標 |
説明する |
純度 |
A1.03 |
99%以上 |
不純物 |
な、0 |
300ppm未満の低濃度も可能 |
外観 |
0-A1z03の内容 |
最大90%以上 |
| 粒度分布 | D50 | 2um~50um以内はオプション |
ディ₀0 |
10um以下まで可能 |
|
| 粒度分布 | 代表的な配分をベースに、宮家の要望に応じて多峰配分や狭い配分など調整可能 |
プロジェクト |
ユニット | 代表的な値 |
外観 |
/ | ホワイトピンクの木 |
粒子状Ni |
/ | 球状 |
密度 |
kg/m3 | 3.7×103 |
モース硬度 |
/ | 6-9 |
誘電率 |
えー | 9 |
誘電損失 |
lgδ | 0.0003 |
| 線膨張係数 | 1/K | 0.7x10-6 |
| 熱伝導率 | カムと | 30 |