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Pó de sílica esférica, alta pureza
Pó de sílica esférica, alta pureza Pó de sílica esférica, alta pureza

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Fabricação de cerâmica esférica de sílica em pó LTCC de alta pureza

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Este produto é um pó de sílica esférica de alta pureza produzido usando tecnologia avançada de fusão de chama. Possui pureza de ≥99,6%, esfericidade ≥97% e distribuição de tamanho de partícula controlável (D50 personalizável de 0,5μm a 50μm). É amplamente utilizado em embalagens eletrônicas de alta qualidade, encapsulamento de semicondutores, materiais de comunicação 5G, cerâmicas especiais, revestimentos e outros campos, melhorando o desempenho e a confiabilidade dos materiais compósitos.
 
Disponibilidade:
Quantidade:

Projetado para fabricantes de eletrônicos avançados, fabricantes de cerâmica de precisão e engenheiros de materiais especializados, nosso pó de sílica esférica de alta pureza  é um enchimento funcional de primeira linha produzido por meio de tecnologia de fusão por chama de última geração. Com uma pureza mínima de SiO2 de 99,6%, esfericidade ≥97% e tamanho médio de partícula totalmente personalizável (D50 0,5μm a 50μm), este pó avançado foi projetado para melhorar o desempenho, a confiabilidade e a eficiência de processamento de materiais compósitos de alta qualidade. Feito sob medida para ambientes industriais exigentes, nosso pó de sílica esférico para embalagens eletrônicas  e aplicações de semicondutores oferece qualidade consistente lote a lote, atendendo aos requisitos mais rigorosos da indústria global de materiais avançados.

Especificações do produto

Indicador

Valor padrão

Padrão de teste

Pureza SiO2

≥99,6%

GB/T 20020-2013

Esfericidade

≥97%

ISO 9276-1:1998

Tamanho médio de partícula (D50)

0,5μm-50μm (personalizável)

ISO 13320:2009

Densidade

2,2-2,4g/cm³

GB/T 5162-2021

Área de Superfície Específica

1-30 m²/g (ajustável pelo tamanho da partícula)

Método de APOSTA

Conteúdo de umidade

≤0,1%

GB/T 6284-2016

Perda na ignição

≤0,5%

GB/T 6284-2016

Ponto de fusão

≥1600°C

/

Íons metálicos solúveis (Na+, K+)

≤5ppm

/

Principais vantagens do nosso pó de sílica esférica de alta pureza

Alta pureza de grau semicondutor com impurezas ultrabaixas

Nosso pó de sílica esférico de grau semicondutor  possui uma pureza mínima de SiO2 de 99,6%, com teor de íons metálicos solúveis ultrabaixo (Na+, K+ ≤5ppm) para eliminar interferência de sinal e degradação de material em aplicações eletrônicas sensíveis. Essa pureza ultra-alta atende aos rigorosos requisitos de materiais da fabricação de semicondutores e microeletrônicos, garantindo confiabilidade a longo prazo dos produtos finais.

Estrutura esférica superior para melhor desempenho de processamento

Com uma taxa de esfericidade de ≥97%, nosso pó oferece fluidez e densidade de compactação excepcionais, reduzindo significativamente a viscosidade dos sistemas de polímeros e resinas durante o processamento. O formato esférico perfeito minimiza a tensão interna em materiais compósitos, reduz o desgaste do equipamento de processamento e permite taxas de carga de carga mais altas sem comprometer a eficiência do processamento.

Controle de tamanho de partícula personalizável com precisão

Cada lote é estritamente classificado por meio de análise de tamanho de partículas a laser, com tamanhos de partículas D50 totalmente personalizáveis, variando de 0,5 μm a 50 μm, e área de superfície específica ajustável para atender aos requisitos exclusivos de sua aplicação. Esse controle de precisão garante um desempenho consistente no desenvolvimento de protótipos, na produção de pequenos lotes e na fabricação industrial em grande escala.

Estabilidade térmica e química excepcional

Nossa sílica esférica de alta pureza  apresenta excelente estabilidade térmica com ponto de fusão ≥1600°C, baixa higroscopicidade e excelente resistência à corrosão ácida e alcalina. Ele mantém propriedades físicas e químicas estáveis ​​em ambientes agressivos de alta temperatura, alta umidade e quimicamente agressivos, tornando-o ideal para aplicações industriais exigentes.

Melhor solução
Melhor solução
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Aplicações Industriais

Embalagem avançada de eletrônicos e semicondutores

Como pó de sílica esférica líder do setor para embalagens eletrônicas , é o enchimento central para compostos de moldagem epóxi (EMC), encapsulantes de chips e materiais de preenchimento, reduzindo o coeficiente de expansão térmica de compósitos e melhorando a condutividade térmica e a estabilidade dimensional para dispositivos semicondutores.

Comunicação 5G e substratos PCB de alta frequência

Amplamente utilizado como preenchimento funcional para substratos de PCB de alta frequência em equipamentos de comunicação 5G, otimiza as propriedades dielétricas, reduz a perda de sinal e melhora a estabilidade térmica dos materiais do substrato, garantindo transmissão estável de sinal de alta velocidade em sistemas de comunicação 5G e de próxima geração.

Fabricação de cerâmica de precisão LTCC e HTCC

Ele serve como um auxiliar crítico de sinterização e enchimento funcional para produtos de cerâmica co-queimada de baixa temperatura (LTCC) e cerâmica co-queimada de alta temperatura (HTCC), melhorando a densificação, melhorando a resistência mecânica e otimizando as propriedades dielétricas de componentes cerâmicos de precisão para aplicações eletrônicas e automotivas.

Revestimentos Industriais de Alto Desempenho

Usado em revestimentos industriais anticorrosivos, resistentes ao desgaste e às intempéries de alta qualidade, melhora a dureza do revestimento, o desempenho de nivelamento e a resistência a arranhões, prolongando a vida útil de superfícies revestidas em ambientes industriais e marítimos agressivos.

Perguntas frequentes

Qual é a taxa de esfericidade do seu pó de sílica esférica de alta pureza?

Nosso padrão pó de sílica esférico de alta pureza  tem uma taxa de esfericidade mínima de 97%, com graus de esfericidade mais elevados disponíveis mediante solicitação para aplicações eletrônicas e de semicondutores de altíssima precisão.

Você pode personalizar a distribuição do tamanho das partículas para aplicações específicas?

Sim, oferecemos tamanhos de partículas D50 totalmente personalizáveis, variando de 0,5 μm a 50 μm, com área de superfície específica ajustável e classificação de tamanho de partícula para atender aos seus requisitos exclusivos de formulação, processamento e uso final.

Quais controles de pureza e impureza estão disponíveis para aplicações de grau de semicondutores?

Nosso material de grau semicondutor apresenta uma pureza mínima de SiO2 de 99,6%, com conteúdo de íons metálicos solúveis (Na+, K+) controlado para ≤5ppm, e podemos fornecer especificações de controle de impurezas mais rigorosas para aplicações microeletrônicas de ultra-alta sensibilidade.

Como o pó de sílica esférico melhora o desempenho do PCB de alta frequência?

Nosso pó de sílica esférico para substratos 5G  otimiza a constante dielétrica e a perda dielétrica de materiais PCB, reduz o coeficiente de expansão térmica para melhorar a estabilidade dimensional e aumenta a condutividade térmica para dissipar o calor gerado durante a operação de alta frequência, garantindo uma transmissão de sinal estável.

+86 18936720888
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