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Projetado para fabricantes de eletrônicos avançados, fabricantes de cerâmica de precisão e engenheiros de materiais especializados, nosso pó de sílica esférica de alta pureza é um enchimento funcional de primeira linha produzido por meio de tecnologia de fusão por chama de última geração. Com uma pureza mínima de SiO2 de 99,6%, esfericidade ≥97% e tamanho médio de partícula totalmente personalizável (D50 0,5μm a 50μm), este pó avançado foi projetado para melhorar o desempenho, a confiabilidade e a eficiência de processamento de materiais compósitos de alta qualidade. Feito sob medida para ambientes industriais exigentes, nosso pó de sílica esférico para embalagens eletrônicas e aplicações de semicondutores oferece qualidade consistente lote a lote, atendendo aos requisitos mais rigorosos da indústria global de materiais avançados.
Indicador |
Valor padrão |
Padrão de teste |
Pureza SiO2 |
≥99,6% |
GB/T 20020-2013 |
Esfericidade |
≥97% |
ISO 9276-1:1998 |
Tamanho médio de partícula (D50) |
0,5μm-50μm (personalizável) |
ISO 13320:2009 |
Densidade |
2,2-2,4g/cm³ |
GB/T 5162-2021 |
Área de Superfície Específica |
1-30 m²/g (ajustável pelo tamanho da partícula) |
Método de APOSTA |
Conteúdo de umidade |
≤0,1% |
GB/T 6284-2016 |
Perda na ignição |
≤0,5% |
GB/T 6284-2016 |
Ponto de fusão |
≥1600°C |
/ |
Íons metálicos solúveis (Na+, K+) |
≤5ppm |
/ |
Nosso pó de sílica esférico de grau semicondutor possui uma pureza mínima de SiO2 de 99,6%, com teor de íons metálicos solúveis ultrabaixo (Na+, K+ ≤5ppm) para eliminar interferência de sinal e degradação de material em aplicações eletrônicas sensíveis. Essa pureza ultra-alta atende aos rigorosos requisitos de materiais da fabricação de semicondutores e microeletrônicos, garantindo confiabilidade a longo prazo dos produtos finais.
Com uma taxa de esfericidade de ≥97%, nosso pó oferece fluidez e densidade de compactação excepcionais, reduzindo significativamente a viscosidade dos sistemas de polímeros e resinas durante o processamento. O formato esférico perfeito minimiza a tensão interna em materiais compósitos, reduz o desgaste do equipamento de processamento e permite taxas de carga de carga mais altas sem comprometer a eficiência do processamento.
Cada lote é estritamente classificado por meio de análise de tamanho de partículas a laser, com tamanhos de partículas D50 totalmente personalizáveis, variando de 0,5 μm a 50 μm, e área de superfície específica ajustável para atender aos requisitos exclusivos de sua aplicação. Esse controle de precisão garante um desempenho consistente no desenvolvimento de protótipos, na produção de pequenos lotes e na fabricação industrial em grande escala.
Nossa sílica esférica de alta pureza apresenta excelente estabilidade térmica com ponto de fusão ≥1600°C, baixa higroscopicidade e excelente resistência à corrosão ácida e alcalina. Ele mantém propriedades físicas e químicas estáveis em ambientes agressivos de alta temperatura, alta umidade e quimicamente agressivos, tornando-o ideal para aplicações industriais exigentes.
Como pó de sílica esférica líder do setor para embalagens eletrônicas , é o enchimento central para compostos de moldagem epóxi (EMC), encapsulantes de chips e materiais de preenchimento, reduzindo o coeficiente de expansão térmica de compósitos e melhorando a condutividade térmica e a estabilidade dimensional para dispositivos semicondutores.
Amplamente utilizado como preenchimento funcional para substratos de PCB de alta frequência em equipamentos de comunicação 5G, otimiza as propriedades dielétricas, reduz a perda de sinal e melhora a estabilidade térmica dos materiais do substrato, garantindo transmissão estável de sinal de alta velocidade em sistemas de comunicação 5G e de próxima geração.
Ele serve como um auxiliar crítico de sinterização e enchimento funcional para produtos de cerâmica co-queimada de baixa temperatura (LTCC) e cerâmica co-queimada de alta temperatura (HTCC), melhorando a densificação, melhorando a resistência mecânica e otimizando as propriedades dielétricas de componentes cerâmicos de precisão para aplicações eletrônicas e automotivas.
Usado em revestimentos industriais anticorrosivos, resistentes ao desgaste e às intempéries de alta qualidade, melhora a dureza do revestimento, o desempenho de nivelamento e a resistência a arranhões, prolongando a vida útil de superfícies revestidas em ambientes industriais e marítimos agressivos.
Nosso padrão pó de sílica esférico de alta pureza tem uma taxa de esfericidade mínima de 97%, com graus de esfericidade mais elevados disponíveis mediante solicitação para aplicações eletrônicas e de semicondutores de altíssima precisão.
Sim, oferecemos tamanhos de partículas D50 totalmente personalizáveis, variando de 0,5 μm a 50 μm, com área de superfície específica ajustável e classificação de tamanho de partícula para atender aos seus requisitos exclusivos de formulação, processamento e uso final.
Nosso material de grau semicondutor apresenta uma pureza mínima de SiO2 de 99,6%, com conteúdo de íons metálicos solúveis (Na+, K+) controlado para ≤5ppm, e podemos fornecer especificações de controle de impurezas mais rigorosas para aplicações microeletrônicas de ultra-alta sensibilidade.
Nosso pó de sílica esférico para substratos 5G otimiza a constante dielétrica e a perda dielétrica de materiais PCB, reduz o coeficiente de expansão térmica para melhorar a estabilidade dimensional e aumenta a condutividade térmica para dissipar o calor gerado durante a operação de alta frequência, garantindo uma transmissão de sinal estável.