Produkter

Du er her: Hjem » Produkter » Sfærisk aluminiumoxidpulver » Sfærisk aluminiumoxidpulver med høj renhed

Sfærisk aluminiumoxidpulver med høj renhed.

Dette produkt er sfærisk aluminiumoxidpulver med høj renhed, der er højrulisk kvalitet (Al2O3), fremstillet af en avanceret højtemperatur smeltespray-metode. Den har fremragende sfæricitet, høj renhed og en smal partikelstørrelsesfordeling (D50 justerbar fra 0,5 til 50μm). Produktet udviser overlegen termisk ledningsevne, isolering og kemisk stabilitet, hvilket gør det meget brugt i avanceret elektronisk emballage, halvledere, 5G-kommunikation og termiske interface-materialer.

Tilgængelighed:

Mængde:



Spørge Føj til kurv

Produktbeskrivelse

 
                     Produktbeskrivelse  
                     
Dette produkt er sfærisk aluminiumsoxidpulver med høj renhed, der er højrulitet af aluminiumsoxid (AL2O3), fremstillet af en avanceret højtemperatur smeltespray-metode. Den har fremragende sfæricitet, høj renhed og en smal partikelstørrelsesfordeling (D50 justerbar fra 0,5 til 50μm). Produktet udviser overlegen termisk ledningsevne, isolering og kemisk stabilitet, hvilket gør det meget brugt i avanceret elektronisk emballage, halvledere, 5G-kommunikation og termiske interface-materialer. 
                    
                      Applikationsfelter  
                      
halvlederemballage: Brugt til chipemballage og IC -underlag for at forbedre varmeafledningens ydelse. 
                      
Termiske grænsefladematerialer: Et nøglefyldstof til termisk silikongummi og termiske puder. 
                      
5G Kommunikationsmaterialer: isolering og termiske ledende lag til højfrekvente underlag og RF-enheder. 
                      
LED -emballage: Forbedrer varmeafledningseffektiviteten og pålideligheden af LED -enheder. 
                      
Præcisionselektronisk keramik: Multilags keramiske kondensatorer (MLCC) og elektroniske substrater. 
                     
                      Produktfordele med  
                      
høj renhed og urenheder med lav metal, opfylder strenge krav. 
                      
Perfekt sfæricitet (≥95%): god fluiditet, høj fyldningshastighed og reduceret intern stress i materialer. 
                      
Fremragende termisk ledningsevne (30-35 W/M · K): Forbedrer varmeafledningens ydelse markant. 
                      
Smal partikelstørrelsesfordeling: Tilpaselig fra 0,5 til 50 um for at tilpasse sig forskellige applikationsbehov. 
                      
Høj isolering: Stabil dielektrisk konstant, velegnet til højfrekvente elektroniske komponenter. 
                     
                      Emballage og opbevaring 
                     
Emballage : Tilpasset i henhold til kundens krav.
Opbevaring : Opbevares i en forseglet beholder på et tørt, køligt sted for at undgå fugt.

                      Hvorfor vælge os?  
                      
Strenge kvalitetskontrol: I overensstemmelse med ISO 9001 & ROHS -standarder. 
                      
Tilpassede tjenester: Overflademodifikation og speciel tilpasning af partikelstørrelse til rådighed. 
                      
Stabil forsyning: Månedlig produktionskapacitet på 50 ton, der understøtter store ordrer. 
                      
Teknisk support: Professionelle applikationsløsninger og eftersalgsstøtte til rådighed. 
                     
                      Gældende industristandarder 
                     
Elektronisk emballage: JIS K1469
Termiske materialer: ASTM D5470

                      Kontakt os : Få gratis prøver og teknisk konsultation!

Projekt	Relaterede indikatorer	Forklare
Renhed	A1.03	Mere end 99%
Urenheder	Na, 0	Kan være så lav som under 300 ppm
Udseende	0-A1Z03-indhold	Op til 90% eller mere
Partikelstørrelsesfordeling	D50	Valgfrit inden for 2um-50um
	Di₀0	Kan være så lav som 10um eller mindre
	Partikelstørrelsesfordeling	Justeringer kan foretages baseret på den typiske fordeling i henhold til kravene i Palace-husstanden, herunder multimodal distribution og smal fordeling

Projekt	Enhed	Typiske værdier
Udseende	/	Hvid lyserød træ
Partikelformet Ni	/	Sfærisk
Densitet	kg/m³	3,7 × 103
Mohs hårdhed	/	6-9
Dielektrisk konstant	Er	9
Dielektrisk tab	LGδ	0.0003
Lineær ekspansionskoefficient	1/k	0,7x10-6
Termisk ledningsevne	M/kam	30