Produkter

Du er her: Hjem » Produkter » Sfærisk alumina pulver » Elektronisk sfærisk aluminiumoksydpulver med høy renhet

Elektronisk sfærisk aluminiumoksydpulver med høy renhet

Dette produktet er høyrent elektronisk sfærisk aluminiumoksidpulver (Al2O3), tilberedt med en avansert høytemperatursmeltespraymetode. Den har utmerket sfærisitet, høy renhet og en smal partikkelstørrelsesfordeling (D50 justerbar fra 0,5 til 50 μm). Produktet viser overlegen termisk ledningsevne, isolasjon og kjemisk stabilitet, noe som gjør det mye brukt i high-end elektronisk emballasje, halvledere, 5G-kommunikasjon og termiske grensesnittmaterialer.

Tilgjengelighet:

Antall:



Spørre Legg i handlekurven

Produktbeskrivelse

 
                     Produktbeskrivelse  
                     
Dette produktet er sfærisk aluminiumoksidpulver av høy renhet av elektronisk kvalitet (Al2O3), tilberedt med en avansert høytemperatursmeltespraymetode. Den har utmerket sfærisitet, høy renhet og en smal partikkelstørrelsesfordeling (D50 justerbar fra 0,5 til 50 μm). Produktet viser overlegen termisk ledningsevne, isolasjon og kjemisk stabilitet, noe som gjør det mye brukt i high-end elektronisk emballasje, halvledere, 5G-kommunikasjon og termiske grensesnittmaterialer. 
                    
                      Bruksområder  
                      
Halvlederemballasje: Brukes til brikkepakking og IC-substrater for å forbedre varmeavledningsytelsen. 
                      
Termiske grensesnittmaterialer: Et nøkkelfyllstoff for termisk silikongummi og termiske puter. 
                      
5G kommunikasjonsmaterialer: Isolerende og termisk ledende lag for høyfrekvente underlag og RF-enheter. 
                      
LED-emballasje: Forbedrer varmeavledningseffektiviteten og påliteligheten til LED-enheter. 
                      
Presisjon elektronisk keramikk: Flerlags keramiske kondensatorer (MLCC) og elektroniske underlag. 
                     
                      Produktfordeler  
                      
Høy renhet og lite metallurenheter, oppfyller strenge krav. 
                      
Perfekt sfærisitet (≥95%): God flyt, høy fyllingsgrad og redusert indre stress i materialer. 
                      
Utmerket termisk ledningsevne (30-35 W/m·K): Forbedrer varmeavledningsytelsen til elektroniske enheter betydelig. 
                      
Smal partikkelstørrelsesfordeling: Kan tilpasses fra 0,5 til 50 μm for å tilpasses ulike applikasjonsbehov. 
                      
Høy isolasjon: Stabil dielektrisk konstant, egnet for høyfrekvente elektroniske komponenter. 
                     
                      Emballasje og lagring 
                     
Emballasje : Tilpasset i henhold til kundens krav.
Oppbevaring : Oppbevares i en forseglet beholder på et tørt, kjølig sted for å unngå fuktighet.

                      Hvorfor velge oss?  
                      
Streng kvalitetskontroll: Samsvar med ISO 9001 og ROHS-standarder. 
                      
Tilpassede tjenester: Overflatemodifisering og spesiell partikkelstørrelsetilpasning tilgjengelig. 
                      
Stabil forsyning: Månedlig produksjonskapasitet på 50 tonn, støtter store bestillinger. 
                      
Teknisk støtte: Profesjonelle applikasjonsløsninger og ettersalgsstøtte tilbys. 
                     
                      Gjeldende industristandarder 
                     
Elektronisk emballasje: JIS K1469
Termiske materialer: ASTM D5470

                      Kontakt oss : Få gratis prøver og teknisk konsultasjon!

Prosjekt	Relaterte indikatorer	Forklare
Renhet	A1.03	Mer enn 99 %
Urenheter	Na,0	Kan være så lavt som under 300 ppm
Utseende	0-A1z03 innhold	Opptil 90 % eller mer
Partikkelstørrelsesfordeling	D50	Valgfritt innen 2um-50um
	Di₀0	Kan være så lavt som 10um eller mindre
	Partikkelstørrelsesfordeling	Justeringer kan gjøres basert på den typiske distribusjonen i henhold til kravene til palasshusholdningen, inkludert multimodal distribusjon og smal distribusjon

Prosjekt	Enhet	Typiske verdier
Utseende	/	Hvit rosa tre
Partikkelformet Ni	/	Sfærisk
Tetthet	kg/m³	3,7×103
Mohs hardhet	/	6-9
Dielektrisk konstant	Eh	9
Dielektrisk tap	lgδ	0.0003
Lineær ekspansjonskoeffisient	1/K	0,7x10-6
Termisk ledningsevne	W/Kam	30