Produkter

Du er her: Hjem » Produkter » Kugleformet aluminiumoxid pulver » Ultrafint sfærisk aluminiumoxidpulver (D50 2-50μ m) - elektronisk kvalitet

Ultrafint sfærisk aluminiumoxidpulver (D50 2-50μm) - elektronisk kvalitet

Dette produkt er et ultrafint sfærisk aluminiumoxidpulver af høj renhed i elektronisk kvalitet, fremstillet ved hjælp af avanceret plasmasmelteteknologi. Den har perfekt sfæricitet, ultrafin partikelstørrelse (kontrollerbar D50 2-50μm), samt fremragende flydeevne, dispergerbarhed og termisk ledningsevne. Velegnet til avanceret elektronisk emballage, termiske grænsefladematerialer (TIM), 5G-kommunikationssubstrater, LED-indkapsling og andre områder, det forbedrer den termiske styringsydelse og pålideligheden af materialer markant.

Tilgængelighed:

Antal:



Spørge Læg i kurv

Produktbeskrivelse

Produktbeskrivelse :

Dette produkt er et ultrafint sfærisk aluminiumoxidpulver af høj renhed i elektronisk kvalitet , fremstillet ved hjælp af avanceret plasmasmelteteknologi. Den har perfekt sfæriskhed, ultrafin partikelstørrelse (kontrollerbar D50 2-50μm) samt fremragende flydeevne, dispergerbarhed og termisk ledningsevne . Velegnet til avanceret elektronisk emballage, termiske grænsefladematerialer (TIM), 5G-kommunikationssubstrater, LED-indkapsling og andre områder, det forbedrer den termiske styringsydelse og pålidelighed af materialer markant.

Ansøgninger

Elektronisk emballage : Anvendes i IC-emballage og LED-phosphor-belægninger for at forbedre varmeafledning
Termiske grænsefladematerialer (TIM) : Fylder termisk fedt/gel for at forbedre termisk ledningsevne (5-15 W/m·K)
5G højfrekvente substrater : Reducerer dielektrisk tab og forbedrer C-signaltransmissionsstabilitet a
sind: Præcis signaltransmissionsstabilitet a sind: fortætning
Lithium Battery Separator Coatings : Forbedrer termisk stabilitet og forhindrer termisk flugt

Produktfordele

Ultrafin partikelstørrelse + høj sfæriskhed : Fremragende flydeevne, høj pakningstæthed og reduceret spændingskoncentration
Ultra-høj renhed (4N-grad) : Lavt natrium/siliciumindhold, ideel til højpålidelige elektroniske komponenter
Overlegen termisk ledningsevne : Termisk ledningsevne op til 30 W/m·K: Kan (teoretisk justerbar værdi)
tilpasses Partikelværdi 2-50μm for at imødekomme forskellige anvendelsesbehov.
Overflademodifikation tilgængelig : Silan-koblingsmiddelbehandling forbedrer kompatibiliteten med harpikser/polymerer

Emballage og opbevaring

Emballage : 25 kg/pose eller tilpasset efter anmodning
Opbevaring : Opbevares i et forseglet, køligt og tørt miljø for at undgå fugtabsorption

Hvorfor vælge vores produkt?

Streng kvalitetskontrol : Hver batch leveres med testrapporter.
Stabil forsyning : Månedlig produktionskapacitet på 200 tons understøtter bulkordrer
Teknisk support : Gratis rådgivning om applikationsoptimering

Kontakt os : Anmod om gratis prøver eller skræddersyede løsninger!
(Tilføj firmaets kontaktoplysninger eller webstedslink her)

Projekt	Relaterede indikatorer	Forklare
Renhed	A1.03	Mere end 99 %
Urenheder	Na,0	Kan være så lavt som under 300 ppm
Udseende	0-A1z03 indhold	Op til 90 % eller mere
Partikelstørrelsesfordeling	D50	Valgfrit inden for 2um-50um
	Di₀0	Kan være så lavt som 10um eller mindre
	Partikelstørrelsesfordeling	Der kan foretages justeringer baseret på den typiske fordeling i henhold til paladshusstandens krav, herunder multimodal fordeling og snæver fordeling

Projekt	Enhed	Typiske værdier
Udseende	/	Hvid pink træ
Partikelformet Ni	/	Kugleformet
Tæthed	kg/m³	3,7×103
Mohs hårdhed	/	6-9
Dielektrisk konstant	Eh	9
Dielektrisk tab	lgδ	0.0003
Lineær ekspansionskoefficient	1/K	0,7x10-6
Termisk ledningsevne	W/Kam	30